太阳能光片是什么材料，太阳能电池片原理

本文目录一览

1，太阳能电池片原理
2，太阳能单晶片单片的电压电流和功率各是多少呢非晶硅是用在什
3，光伏多晶硅
4，什么叫太阳能级硅片

1，太阳能电池片原理

1.太阳能电池是利用光电转换原理使太阳的辐射光通过半导体物质转变为电能的一种器件，这种光电转换过程通常叫做“光生伏打效应”，因此太阳能电池又称为“光伏电池”。2.通过导流带将电流汇到PCB板后面去。3.是通过钻孔将正负极引到PCB板后面。4.PCB板背面一般都印刷有电路图，电路图如何，根据客人要求做。5.可以直接接上负载用，但无蓄电功能。

太阳能电池的工作原理请看如下链接, 您所说的是滴胶太阳能电池板.树脂覆盖下的太阳能电池板, 通过吸收太阳光, 产生电流, 然后通过导流带与PCB板相连,

太阳能电池的发电原理：当太阳光照在太阳能电池表面，部分光子被电池板上的硅吸收；光子的能量就传递给了硅原子，使原子中的电子发生越迁，变成自由电子，自由电子不断在p－n结两侧集聚，就形成了电位差。在p－n结两侧接通外部电路后，在这个电位差的作用下，就会在外部电路中产生电流，当电流通过负载时，就可以输出一定的电功率。实质就是光子能转换为电能。太阳能电池其实就是采用能将光能转换成电能的材料制作的一种电气元件。能进行光电转换的材料有许多，常用的有单晶硅、多晶硅、非晶硅、砷化镓、硒铟铜等。

太阳能电池片原理

2，太阳能单晶片单片的电压电流和功率各是多少呢非晶硅是用在什

现在的片子都是156的单晶，质量和外观还有功率最大的单晶片出厂功率就是4W左右！我们称之为A片，这么一片156的片子，电压仍然是0.5V左右，电流就是功率除以电压就是了！非晶硅是在弱光环境下使用的！单晶的弱光性不行，也就是说，单晶片使用在强光照射下，才能体现其利用价值！非晶硅只要很微弱的光就是发电了！

我们就是做非晶硅太阳能电池的, 我也来回答一下这个问题. 非晶硅太阳能电池的优势: 1. 非晶硅对可见光的吸收比晶体硅的要强,也就是说以阴雨天或者说月光较强的晚上,非晶硅电池也可以产生较少量的电流. 甚至有测得,同样功率的非晶硅和晶体硅太阳能电池, 按一年的发电量计算, 非晶硅要比晶体硅发的电多. 2. 非晶硅价格便宜, 因为非晶硅不受硅材料价格的限制, 在生产过程中, 用硅烷气体通过辉光放电法,在玻璃等衬底上沉积成一层薄膜. 因其材料较便宜, 可以大规模生产和推广. 3. 高温性能好：当太阳能电池工作温度高于标准测试温度25℃时，其最佳输出功率会有所下降；非晶硅太阳能电池受温度的影响比晶体硅太阳能电池要小得多。 4. 能量回收周期短, 在生产过程中的每瓦用电能耗较小,1.5-2年即可返回. 由于上述这些优势,令薄膜硅电池在民用领域具有广阔的应用前景，如光伏建筑一体化、大规模低成本发电站、太阳能照明光源。由于非晶硅薄膜电池的良好前景，包括sharp、q-cells、无锡尚德等在内的诸多企业正大规模进入非晶硅薄膜太阳能电池领域，整个行业的统计数字不断翻新。

太阳能单晶片单片的电压电流和功率各是多少呢非晶硅是用在什

3，光伏多晶硅

多晶硅材料小知识 A、太阳能级多晶硅料技术要求：总体要求：硅含量99.9999% 含硼量：<0.20ppba 含磷量：<0.90ppba 含碳量：<1.00ppba 金属含量：<30.00ppba 金属表面含量：<30.00ppba 尺寸大小要求：25mm---250mm 多晶种类：P型电阻率：>0.50Ohmcm B、破碎半导体级硅片技术要求：半导体级碎硅片片子形状为圆弧形碎片硅片厚度>=400um 型号为P型电阻率：>0.50Ohmcm C、小多晶硅技术要求 1. 型号为N型，电阻率大于50ohmcn，碳含量小于5*1016/cm3，氟含量小于 5*1017/cm3 2. 块状为4mm 3. 不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料 D、直拉多晶硅技术要求 1.磷检为N型，电阻率大于100ohmcm，硼检为P型，电阻率大于1000ohmcm.少娄载流子寿命大100um，碳含量小于1016cm3，氧含量小于1017 cm3 2. 块状小于30mm 3. 不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料 E、区熔头尾料技术要求 1. N型，电阻率大于50chmom 少数载流子寿命大于100μm 2. 块状大于 30mm 3. 区熔头尾料不能有气泡，不能有与线圈接触所造成的沾污，更不能有区熔过程的流硅或不熔物。 4. 最好为免洗料 F、直拉头尾料（IC料），最好为免洗料 1. N型，电阻率大于10ohmom 2. P型，电阻率大于 0.5ohmom 3. 块状大于30mm，片厚大于0.5mm 4. 直拉头尾料不能气泡，更不能有不熔物

光伏多晶硅

4，什么叫太阳能级硅片

是晶片中轻量级的太阳能级硅片单晶太阳能硅片质量标准 1 材料物理法高纯硅及原生多晶硅 2 生长方法使用柴氏法生长钒酸钇和掺钕钒酸钇,可得到可到大面积单晶片直径30 mm至 35 mm,长40 mm晶体,：硅片 , 单晶硅片 , 硅棒 .生长方法柴氏法CZ 柴氏法CZ 型号掺杂 P/N型掺硼/磷 P/N型掺硼/磷晶向偏差 <100>±2° <100>±2° 氧含量 ≤1.0×1018 atoms/cm3 ≤1.0×1018 atoms/cm3 碳含量 ≤5.0×1016 atoms/cm3 ≤5.0×1016 atoms/cm3 http://www.wecan21.net/product_silicon_002.htmlhttp://amuseum.cdstm.cn/AMuseum/crystal/44.htmlhttp://www.cnpatent.com/zl/C30B/1994/94120719.htmlhttp://jaje.b17.23dns.net/jj/tyndczj.html

将光能转化为电能简单的说吧。就是由于光子的能量照射到硅和锗构成的半导体pn结中的电子孔穴位置，而电子就会产生迁跃，从而在两端的半导体硅中产生电压，如果该电压形成回路，则产生电流。duojinggul to一yongnengd一oneh- 多晶硅太阳能电池(polyerystaline一silicon solar cen)用多晶硅材料制成的pn结太阳能电池。多晶硅是由许多细小的单晶顺粒非定向排列而成，所以它的许多基本特性都和单晶硅相同。主要区别是多晶硅中的单晶颗粒之间存在着晶界，而晶界往往有许多非晶态硅原子和杂质原子。紧邻晶界的晶粒中，位错、缺陷、应力、应变也较多，使得多晶硅中由人射光激发而产生的光生载流子的寿命比较短，因而多晶硅太阳能电池中的复合电流大，开路电压、短路电流、填充因子及效率均没有单晶硅电池高。而一般的光电特 ~10种硅带技术在研究，其中有四种比较成熟，即:① 定边喂膜法(efg);②跳状枝晶法(db);③硅筒法 (sb);④电喷法。这四种方法获得的带硅厚约200料m. 沿带硅生长方向看，晶较取向比较一致，而沿带宽方向看，晶向比较复杂，所以常称这种有纤维状晶体结构的带硅为半晶硅。用半晶硅片制成的太阳能电池，平均效率已突破10%，有的已达15%。其中:①定边喂膜法，是用刻有狭缝的石墨模具浸人硅熔液，靠毛细现象，硅液沿狭缝上升，用籽晶硅片把硅液沿狭缝冷凝后向上拉伸，即得到等宽等厚的带硅;②跳状枝晶法，是用两根细籽晶平行伸入硅熔液，靠表面张力，硅液在籽晶之间形成一个蹼状弯月面状的硅膜，把籽晶向上提伸.这种蹼状硅膜同时伸长，形成蹼状带硅;③硅筒法，是用宽约125 mm、厚约0.2 mm的9片籽晶，围成8边形，伸人硅熔液，然后向上提拉，即可得到一个8边形的硅筒，用激光分割后，即可得到厚度均匀、质量较好的硅片。由于硅筒生长速度快、切片损耗低，用硅筒基片制成的太阳能电池的效率已达12%~14.5%，因而已具备产业化的条件;④电喷法，是由多晶硅粉末电喷到耐高温衬底上，形成宽60cm、长数米、可以绕曲的多晶硅带。用这种电喷多晶硅带材料制成的光伏组件，典型的参数为:输出功率尸。、匕90wp，短路电流i、一5.8 a，开路电压voc二21.gv，几何尺寸(lxwxh)- 1633 mm派660 mmx35mm。 (5)太阳级硅:一般认为它是一种能够制造出效率大于10%的太阳能电池用的廉价硅.虽然已经花费了巨额经费摸索了多种杂质元素对太阳能电池的影响，但是至今尚无关于太阳级硅的精确定义。目前正在设法从沸腾床反应炉和从冶金硅直接纯化法制备太阳级硅。用锌催化从沸腾床反应炉产出的高纯颗粒状多晶硅，已可用作硅太阳能电池的原料。性和制作工艺与单晶硅太阳能电池相同. 因为拉制单晶硅需要消耗大量能源以及昂贵的高纯石英增祸，人们从20世纪60年代起探索以多晶硅作为制造太阳能电池的材料。其中主要有: (l)薄膜多晶硅:在廉价的衬底(如冶金硅、石墨、陶瓷以至于金属)上，用化学汽相沉积(vcd)法、等离子增强的化学汽相沉积(pcdv)法和金属有机物化学汽相沉积(m〔x二vd)法，生长一层20~50拌m的多晶薄层，由此做成的多晶硅太阳能电池效率已大于 10肠。 (2)铸锭多晶硅:用石墨增涡把熔融硅定向冷却，以获得晶界纵向排列、晶粒粗大的多晶硅锭，用多线切俐机或内圆切割机切成。.2~0.4讯m厚的大面积多晶硅片。以此制成的多晶硅太阳能电池，效率已达 17%~18写.与拉制单晶硅相比，这种铸锭硅生产周期短、产t大(单个铸锭已达240 kg)、价格低。在德国，这种太阳能电池已经开始取代单晶硅成为第二代实用 ┌—┬—┬—┬——┬—┐ │ │ │ │ │ │ │ │ ├—┼——┼—┤ │ │ │! │盯- │ │ └—┴—┴—┴——┴—┘ 柱形晶粒的多晶硅太阳能电池的太阳能电池。图示为这种多晶硅太阳能电池的示意图. (3)片状多晶硅: 当液体硅滴到旋转的平台上，很快可以形成一片厚约0.1~o·2 mm的多晶硅片。用这种称为滴转法制成的多晶硅太阳能电池，效率已突破10%. (4)带状多晶硅:直接从硅液中拉出多晶带作为电池的羞体材料，然后用激光切割成方形太阳能电池基片.它不擂机械切割，可节省一半硅材料，还可节省为消除机械切割损伤所必需的清洗、腐蚀试剂和人工。这种降低成本的途径已引起人们的注意.