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光伏电池生产设备,铜铟镓硒薄膜太阳能电池的生产有哪些设备求全面具体

来源:整理 时间:2023-06-11 06:05:53 编辑:太阳能 手机版

1,铜铟镓硒薄膜太阳能电池的生产有哪些设备求全面具体

目前国内准备生产铜铟镓硒薄膜太阳能电池的厂家主要采用两种工艺路线方法,一种是磁控溅射,另一种是溶液法,两种不同的工艺需要的设备是不一样的。其中溶液法用到的是PECVD设备,磁控溅射需要的是真空连续镀膜生产线设备。具体可以和相关设备厂家联系了解。
真空镀膜机一般是利用高温等离子装置将原料瞬间加热气化在真空环境腔体中,通过电吸附的方式沉积到目标物体上成膜的工艺。顺便多嘴问一句,你们的转化率能做到多少?现在器件瓦成本能控制到什么程度?:)

铜铟镓硒薄膜太阳能电池的生产有哪些设备求全面具体

2,关于太阳能电池板生产工艺和设备的一些问题

我将尝试尽我所能的一一解答以上各个问题:1、“扩散炉”顾名思义就是用来扩散的炉子,在晶体硅太阳能电池的生产制造行业中,自然是用于对硅基片的扩散掺杂,制备P-N结结构。至于硅片的热氧化,只不过是扩散掺杂技术工艺的一个中间过程,是为了提高扩散工艺的稳定性和均匀性而设计的。但是一般氧化层厚度极薄,与半导体晶圆工艺制程中的氧化完全不同,因此这里经过热氧化的硅片只是中间的一个状态,一般并不单独作为一个工艺单元。2、“炉管”即“TUBE”,显然只有管式炉才有炉管只称谓,板式则称为“腔”。除了扩散炉,PECVD也有管式设备,基本上和扩散炉的炉管是同一个概念。——另外,国产PECVD以管式居多。
多晶中扩散是用于让表面一层掺入P元素,而通过这使硅片有PN结生成。二氧化硅应该是要在下道工序中去掉的也就是去PSG,而必须去干净的炉管的称呼如果两道工序都有的话应该是反应炉的

关于太阳能电池板生产工艺和设备的一些问题

3,太阳能光伏电池组件生产设备有哪些

广东启天自动化公司定位于自动化智能装备领航者,专注于设计、研发、定制高精度、高效率的智能化制造解决方案,包括生产过程自动化设备、MES管理系统等。公司主营产品:等离子清洗设备 、太阳能电池设备、锂电池设备、视觉检测设备及非标自动化设备定制。服务于广大企业机器换人、整线自动化、产线改造。业务覆盖3C、半导体、五金、塑胶、通讯、新能源等行业。
尚德电力 控股/ 参股的上市公司:尚德电力(stp.nyse) 自从去年12 月在纽约证券交易所上市,澳大利亚籍的施正荣(参见本刊今年4 月号文章《太阳之王》)成为了中国乃至全球的财富新贵。这同时也被看成是中国企业迈向全球市场的成功典范。由他创办的尚德太阳能电力公司的产品是能把太阳能变成电能的太阳能电池、面板和相关组件。在全世界太阳能电池生产商中,尚德太阳能排名首位。今年8 月,尚德还宣布收购了一家总部位于日本东京的光伏企业msk 公司。

太阳能光伏电池组件生产设备有哪些

4,生产太阳能光伏电池需要的厂房设施有哪些

冷水机组及空调机组,防爆特气房。厂房设施.solarzoom,污水处理200-300平米进口2条电池线设备,配电房等,空压机组。一般的主要工艺设备也就这几家厂家。bbs。设备好,50-60MW产能,投资估计8000-9000万人民币,废气处理塔:纯水100-150平米,液氧液氮?不好说.com推荐看看,排风系统
问题多呢,一般包括1.防水问题, 2.承重问题, 3.安装时耗问题, 4.风载问题, 5.结构问题, 6.成本问题等等。还有一个比较重要的就是盐雾测试,现在的支架最好是要做这个测试,比较专业的是美国astm b117-07 盐雾测试。这个做好才能经久耐用,要不然支架用几年就垮了就亏大了。国内做这方面比较专业的不多,保威算是可以的。有兴趣的找找他们的资料,找到了也给我个消息哦。呵呵……
进口2条电池线设备,50-60MW产能,投资估计8000-9000万人民币。设备好?不好说。一般的主要工艺设备也就这几家厂家。厂房设施:纯水100-150平米,污水处理200-300平米,液氧液氮,防爆特气房,废气处理塔,空压机组,排风系统,冷水机组及空调机组,配电房等。讲的不够全面,你到太阳能组件群里看看,发个帖子,会有人联系你的

5,光伏电站主要设备有哪些

一般有高压变压器、逆变变压器、高压开关柜(35KV)(10KV)以及低压开关柜、太阳能光板。一次设备、二次设备:一次设备开关柜、接地变、主变、箱变、逆变器、组件。二次设备:保护、踪自系统设备等。光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术。这种技术的关键元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件,再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。光伏电站是指与电网相连并向电网输送电力的光伏发电系统,属国家鼓励的绿色能源项目。可以分为带蓄电池的和不带蓄电池的并网发电系统。太阳能发电分为光热发电和光伏发电。通常说的太阳能发电指的是太阳能光伏发电。光伏发电产品主要用于三大方面:一是为无电场合提供电源;二是太阳能日用电子产品,如各类太阳能充电器、太阳能路灯和太阳能草地各种灯具等;三是并网发电,这在发达国家已经大面积推广实施。到2009年,中国并网发电还未开始全面推广,不过,2008年北京奥运会部分用电是由太阳能发电和风力发电提供的。
宫芙电站主要设备就是发电装置和储电装置
家庭用,地址在咸阳,每月大概100度电。 太阳能光伏发电系统主要是由太阳能电池方阵、控制器、蓄电池组、逆变器等设备组成,其各部分设备的作 用是: (1)太阳能电池方阵。太阳电池方阵由太阳电池组合板和方阵支架组成。因为单个太阳电池的电压
光伏设备主要包括硅棒/硅锭制造设备、硅片/晶圆制造设备、电池片制造设备、晶体硅电池组件制造设备、薄膜组件制造设备等5大类
光伏材料又称太阳电池材料,是指能将太阳能直接转换成电能的材料。光伏材料能产生电流是因为光生伏特效应,即如果光线照射在太阳能电池上并且光在界面层被吸收,具有足够能量的光子能够在P型硅和N型硅中将电子从共价键中激发,以致产生电子-空穴对。

6,太阳能电池板的生产工艺及所需设备

非晶硅(a-Si)太阳电池是在玻璃(glass)衬底上沉积透明导电膜(TCO),然后依次用等离子体反应沉积p型、i型、n型三层a-Si,接着再蒸镀金属电极铝(Al).光从玻璃面入射,电池电流从透明导电膜和铝引出,其结构可表示为glass/TCO/pin/Al,还可以用不锈钢片、塑料等作衬底。 硅材料是目前太阳电池的主导材料,在成品太阳电池成本份额中,硅材料占了将近40%,而非晶硅太阳电池的厚度不到1μm,不足晶体硅太阳电池厚度的1/100,这就大大降低了制造成本,又由于非晶硅太阳电池的制造温度很低(~200℃)、易于实现大面积等优点,使其在薄膜太阳电池中占据首要地位,在制造方法方面有电子回旋共振法、光化学气相沉积法、直流辉光放电法、射频辉光放电法、溅谢法和热丝法等。特别是射频辉光放电法由于其低温过程(~200℃),易于实现大面积和大批量连续生产,现成为国际公认的成熟技术。在材料研究方面,先后研究了a-SiC窗口层、梯度界面层、μC-SiC p层等,明显改善了电池的短波光谱响应.这是由于a-Si太阳电池光生载流子的生成主要在i层,入射光到达i层之前部分被p层吸收,对发电是无效的.而a-SiC和μC-SiC材料比p型a-Si具有更宽的光学带隙,因此减少了对光的吸收,使到达i层的光增加;加之梯度界面层的采用,改善了a-SiC/a-Si异质结界面光电子的输运特性.在增加长波响应方面,采用了绒面TCO膜、绒面多层背反射电极(ZnO/Ag/Al)和多带隙叠层结构,即glass/TCO/p1i1n1/p2i2n2/p3i3n3/ZnO/Ag/Al结构.绒面TCO膜和多层背反射电极减少了光的反射和透射损失,并增加了光在i层的传播路程,从而增加了光在i层的吸收.多带隙结构中,i层的带隙宽度从光入射方向开始依次减小,以便分段吸收太阳光,达到拓宽光谱响应、提高转换效率之目的。在提高叠层电池效率方面还采用了渐变带隙设计、隧道结中的微晶化掺杂层等,以改善载流子收集。 为了获得具有高效率、高稳定性的硅基薄膜太阳电池,近年来又出现了微晶、多晶硅薄膜电池。微晶硅薄膜是采用大氢稀释和微量掺硼技术制备的。多晶硅薄膜的制造技术主要有两种,一种是采用PECVD技术或热丝法直接生长;另一种则是通过对a-Si∶H材料进行后退火,实现低温固相晶化。
网络上流传的都是非专业的,或是稍带一点专业内容的资料,你想得到详细的?这都是商业技术机密,你上百度,google都很难搜索到,尤其是半导体行业更难搜索……
  太阳能电池的科学原理是这样的:当阳光照射到有机太阳能电池上时,能量将产生正电荷和负电荷。如果电荷可以被分别传送至不同的电极,就会形成电流。如果不可以,能量将被浪费掉。可以用电子方式把电池连结在一起,这种电池形态被称为电池板,正如现在大多数屋顶上安装的那种电池板。太阳能电池及电池板的大小有所不同。电池的大小从1毫米到几英尺不等,而电池板没有大小限制。 把碳纳米管与碳60正三十二面体(即富勒烯)结合在一起。尽管碳60正三十二面体不能产生电流,但它可以捕获电子。阳光的照射将激活聚合体,而碳60正三十二面体将捕获电子。这样一来,纳米管的作用将与铜线一样,能够产生电子或电流。

7,生产太阳能电池片要那些机器

生产太阳能电池片需要制绒设备(深圳捷佳创),扩散设备(长沙48所),刻蚀(48所),PECVD成膜设备(48所、捷佳创都有)、印刷设备(国内没什么,国外的BACCINI),纯水设备,压缩空气机、抽真空机,配电设备,氮气氧气罐等,原材料硅片靠买!!如果你还有自产硅片那就要单晶炉,多线切割机,清洗机等!!!检验设备就不说了。。。这玩意牵涉的太多了,实在扯不完!
那要看你做哪个环节了,前期有提炼 提纯拉棒等 切片 后期有植电极 封装 等
一、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体,硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量,这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、p/n型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中,光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数;微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹;另外还有两个检测模组,其中一个在线测试[url=]模组[/url]主要测试硅片体电阻率和硅片类型,另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前,需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测,并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片,并且能够将不合格品放到固定位置,从而提高检测精度和效率。 二、表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀,在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液,可用的碱有氢氧化钠,氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅,腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面,还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂,以加快硅的腐蚀。制备绒面前,硅片须先进行初步表面腐蚀,用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20~25μm,在腐蚀绒面后,进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存,以防沾污,应尽快扩散制结。 三、扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的pn结以实现光能到电能的转换,而扩散炉即为制造太阳能电池pn结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把p型硅片放在管式扩散炉的石英容器内,在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器,通过三氯氧磷和硅片进行反应,得到磷原子。经过一定时间,磷原子从四周进入硅片的表面层,并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散,形成了n型半导体和p型半导体的交界面,也就是pn结。这种方法制出的pn结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造pn结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是pn结的形成,才使电子和空穴在流动后不再回到原处,这样就形成了电流,用导线将电流引出,就是直流电。 四、去磷硅玻璃 该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中,通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡,使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸,以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中,pocl3与o2反应生成p2o5淀积在硅片表面。p2o5与si反应又生成sio2和磷原子,这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的sio2,称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成,主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水,热排风和废水。氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量,反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。 五、等离子刻蚀 由于在扩散过程中,即使采用背靠背扩散,硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。pn结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到pn结的背面,而造成短路。因此,必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀,以去除电池边缘的pn结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体cf4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达sio2表面,在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应,并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面,被真空系统抽出腔体。
清洗设备,扩散设备,刻蚀设备,覆膜设备,丝网印刷设备,测试分选设备,其他炉设备(退火炉、烧结炉、烘干机之类,电池片组件设备
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