什么是叠瓦组件，英语中什么是不能拆分的字母组合

本文目录一览

1，英语中什么是不能拆分的字母组合
2，什么是downloud系统
3，什么是单跨框架结构
4，emmc什么是emmc

1，英语中什么是不能拆分的字母组合

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英语中什么是不能拆分的字母组合

2，什么是downloud系统

Download 都是下载软件下载的文件的保存目录，是安装下载软件时自动生成的，TDdownload 是迅雷的默认下载目录。Download就不一定了，有很多下载软件都创建这个目录作为默认下载目录，如：网际快车、网络蚂蚁等。这些都可以删除，前提是你手动修改默认下载目录。

什么是downloud系统

3，什么是单跨框架结构

在某一个方向上，只有2排柱子这样的结构不安全

《高层建筑混凝土结构技术规程》JGJ3-2010第6.1.2条条文解释规定：单跨框架结构指的是整栋建筑全部或绝大部分采用单跨框架的结构，不包括局部为单跨框架的框架结构。有单跨框架的结构不一定就是单跨框架结构。满足下列2个条件之一的框架结构方可称为单跨框架结构：1、框架结构中，某个主轴方向均为单跨框架（不包括框架-抗震墙结构的单跨框架）。2、两个多跨框架之间的最大距离超过下表的规定。（同一设防烈度地区取两项中的最小值）扩展资料《建筑抗震设计规范》GB50011-2010（2016版）第6.1.5条规定：甲、乙类建筑以及高度大于24米的丙类建筑，不应采用单跨框架结构；高度大于24m的丙类建筑不宜采用单跨框架结构。震害表明，单跨框架结构由于缺少必要的冗余度，地震破坏严重。因此，实际工程应避免采用单跨框架结构。必须采用时，应采用设置支撑、柱子翼墙或少量的钢筋混凝土抗震墙等措施。对于单跨框架和单跨框架结构，应特别注意采用平面结构计算模型进行补充计算。参考资料来源：《高层建筑混凝土结构技术规程》JGJ3-2010参考资料来源：《建筑抗震设计规范》GB50011-2010（2016版）参考资料来源：朱炳寅所著书籍《建筑结构抗震设计规范应用与分析》第6.1.5条

单跨框架结构解释：框架结构只要有一个主轴方向的框架全部为单跨时，即为单跨框架结构。某个主轴方向有局部单跨框架、另一主轴方向为多跨框架时，可不作为单跨框架结构对待。常用的建筑结构分砖混结构和框架结构（还有许多其他结构）、以砖混结构来说，横向两片承重墙之间的距离叫开间，也是跨度，就是一跨。框架结构，两排柱子之间的距离为一个跨度。有单跨框架的结构不一定就是单跨框架结构。满足下列2个条件之一的框架结构方可称为单跨框架结构：1、框架结构中，某个主轴方向均为单跨框架（不包括框架-抗震墙结构的单跨框架）。2、两个多跨框架之间的最大距离超过下表的规定。（同一设防烈度地区取两项中的最小值）

没有足够的超静定次数，安全富余度低。一旦地震作用导致一根框架柱破坏，整个结构就会产生破坏。违反了高规“抗震设防宜设置多道防线”和“不宜采用单跨框架”的条文。

什么是单跨框架结构

4，emmc什么是emmc

eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，具有同样的重要性。 EMMC的结构 eMMC 结构由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器所有在一个小型的BGA 封装。接口速度高达每秒52MB，eMMC具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是1.8v 或者是3.3v。 EMMC的应用 eMMC现在的目标应用是对存储容量有较高要求的消费电子产品。今年已大量生产的一些热门产品，如Palm Pre、Amazon Kindle II和Flip MinoHD，便采用了eMMC。为了确认这些产品究竟使用了哪类存储器，iSuppli利用拆机分析业务对它们进行了拆解，发现eMMC身在其中。 EMMC的发展 eMMC规格的标准逐渐从eMMC4.3世代发展到eMMC4.4世代，eMMC4.5即将问世，eMMC下一个世代将会由三星电子(Samsung Electronics)主导的UFS(Universal Flash Storage)规格接棒。未来其他像更进一步的MCP产品也会把Mobile RAM一起包进去，因此要打内嵌式内存之战，也是要看各家内存资源和技术的齐全度。　　以台厂布局来看，目前都是NAND Flash设计公司孤军奋斗，像是群联与内存模块龙头大厂金士顿(Kingston)合作，双方更将合资成立新公司，擎泰与美光合作eMMC产品等。　　但以台系内存模块厂而言，目前还在寻找商机的切入点，除非找到愿意全面支持的内存大厂，否则未来可能只能做大陆山寨手机市场。 eMMC目前是最当红的手机解决方案，目的在于简化手机存储器的设计，由于NAND Flash芯片的不同厂牌包括三星、东芝(Toshiba)或海力士(Hynix)、美光(Micron)等，当手机客户在导入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有1个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash芯片。　　而每1次NAND Flash制程技术改朝换代，包括70纳米演进至50纳米，再演进至40纳米或30纳米制程技术，手机客户也都要重新设计，但半导体产品每1年制程技术都会推陈出新，存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像eMMC这种把所有存储器和管理NAND Flash的控制芯片都包在1颗MCP上的概念，逐渐风行起来。　　eMMC的设计概念，就是为了简化手机内存储器的使用，将NAND Flash芯片和控制芯片设计成1颗MCP芯片，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。手机记忆体包含PSDRAM、Low Power DDR1、Low Power DDR2、SB(Small Block)SLC NAND Flash、LB(Large Block)SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、micronSD、eMMC和NOR Flash晶片。目前產品线最齐全者為南韩半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)，再者是美光(Micron)和海力士(Hynix)，其中NOR Flash功能由於逐渐被NAND Flash取代，因此单纯生產NAND Flash记忆体的业者，未来在手机记忆体市场上可能会有逐渐被边缘化的趋势。