单晶硅背镀 perc怎么翻译过来的，为什么125单晶单面制绒背面的反射率比正面更低

来源：整理时间：2023-07-22 03:42:09 编辑：太阳能手机版

1，为什么125单晶单面制绒背面的反射率比正面更低

单晶体的各向异性

为什么125单晶单面制绒背面的反射率比正面更低

2，在单晶硅上镀了一层氧化硅膜现在想极化能不能和单晶硅一起极化

如果单晶硅能极化，那氧化硅膜更加可以极化，因为极化总是首先发生在表面，再传递到内部。事实上不管哪种元素，都有原子核和核外电子，在电场或磁场作用下肯定会发生原子核和核外电子间的相对位移，即产生极化。当然，偏振光作用在表面时也会使表面极化。

在单晶硅上镀了一层氧化硅膜现在想极化能不能和单晶硅一起极化

3，光电硅光板后面的连线掉了请问怎么办

刮干净重新焊上，如果没有铜皮就不好办了

光电硅光板后面的连线掉了请问怎么办

4，PERC电池什么是PERC电池

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5，硅与四氯化硅怎么互相转换

Si + 2Cl2 =△= SiCl4SiCl4 + 2H2= 高温=4HCl+Si

加氢

6，光伏板中的单晶硅与多晶硅有什么区别

1、外观上的区别从外观上面看的话，单晶硅电池片的四个角呈现圆弧状，表面没有花纹；而多晶硅电池片的四个角呈现方角，表面有类似冰花一样的花纹。2、使用上面的区别对于使用者来说，单晶硅电池和多晶硅电池没有太大的区别，它们的寿命和稳定性都很好。单晶硅电池平均转换效率要比多晶硅高，但是目前价格比多晶也高。 3、制造工艺多晶电池比单晶电池生产工艺步骤少，因此多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池略少，但是单晶电池组件发电量更高，综合算下来能耗比差别不大。单晶与多晶的对比：? 看历史，单晶光伏板应用早于多晶光伏板，单晶是大哥，多晶是小弟，只是小弟后来发展比较快。? 看用量，多晶硅在电站中的应用远远高于单晶硅，单晶硅占30%，多晶硅占70%。? 看外观，单晶硅深蓝色，近乎黑色，多晶硅天蓝色，颜色鲜艳，单晶电池片四角圆弧状，多晶电池片正方形。? 看转化率，单晶效率高于多晶，大概在10%-20%左右。? 看成本，单晶成本稍微贵于多晶，不同厂家成本不同，市场价格一瓦高五分至一毛钱。? 看衰减度实测数据显示，单晶和多晶各有千秋，无法单从单晶、多晶角度辨别衰减快慢。相对来说产品质量（密封度、有无杂志、是否隐裂），对衰减度影响更大。? 看性价比，目前来说多晶性价比略高于单晶，仅仅是目前而已，随着单晶组件成本的降低，过几年发生逆转也有可能。? 看未来，单晶和多晶，谁的综合成本更低，性价比更好，谁就会占更大份额。扩展资料单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。利用价值：从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。参考资料：百度百科词条多晶硅

7，为什么管式PECVDCT在做156单晶做双层膜在第二次镀膜时候射

是什么报警？反射过大吗？如果发射过大，建议增加Stable步，原因是等离子体阻抗突变引起的。

你好！电流超过报警值了吧我的回答你还满意吗~~

8，单硅晶片和多硅晶片怎么翻译韩文

单硅晶片?? ?dan kyu qib多硅晶片?? ?da kyu qib^^

你好！单硅晶片 Single silicon chip ?? ??? ?多硅晶片 More silicon wafers ? ?? ??? ??如果对你有帮助，望采纳。

单硅晶片 ? ?? ??? ? 多硅晶片 ??? ?? ?

9，单晶硅用英语怎么说

单晶硅[词典] [计] monocrystalline silicon;[例句]利用非平衡磁控溅射技术在单晶硅基底上沉积了类石墨非晶碳膜。Graphitelike carbon film was deposited on silicon substrates by unbalanced magnetron sputtering.

单晶银与冷冻银是非常非常难做出来的，一般来讲是假的，单晶铜价格很高，便宜的一般也是假的，说实话，自己听最准，不管是否为真货，自己耳朵听过最准，期望你找到配对的线。线一般是在调音，我是建议铜线，越纯的铜线声音越不会有铜线奇怪的声音，要人声有人声，背景乐器表现也比银线强，银线主要是解析好，高频会延伸上去，背景感觉粒粒分明，但不会有铜线那麼多感情，到头来再说一次，看自己喜好再下手吧

10，半导体硅片工艺中有一个是 RCA cleaning 是什么意思

RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思。RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液：（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化。