什么时候惨杂n型电池，买回来的电池用了几天电池损耗就到46正常吗N5010

来源：整理时间：2023-08-26 22:16:18 编辑：太阳能手机版

本文目录一览

1，买回来的电池用了几天电池损耗就到46正常吗N5010
2，N型太阳能电池
3，什么叫AA电池
4，HIT电池生产流程

1，买回来的电池用了几天电池损耗就到46正常吗N5010

LZ，你好，电池耗损的情况用软件检测是不准确的要根据电池实际的时间才能确定是否电池有问题，一般六芯电池正常的使用时间就在2小时左右，所以您这个情况是正常的。

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买回来的电池用了几天电池损耗就到46正常吗N5010

2，N型太阳能电池

熊猫电池，成本太高，转化效率不高，不合算。天威英利在做，噱头纯粹是噱头。不过国外确实有公司在做，具体情况不很清楚。

1、国内主流产品是p型单晶硅做太阳能电池，而国外三洋，sunpower等企业采用n型单晶来做电池；2、p型和n型都可以做电池片，只是p型晶体硅做pn结的时候用的是磷扩散工艺，而n型晶体硅做电池片的时候用的是b离子注入工艺；、3、p型硅片电池工艺简单，成本较低，n型硅片通常少子寿命较大，电池效率可以做得更高，但是工艺更加复杂。主要是因为硅片中的间隙cu，au和硼氧对等杂质对电子的俘获能力远远大于对空穴俘获能力，导致p型硅片的少子（电子）的寿命要比n型硅片的少子（空穴）寿命短得多。

N型太阳能电池

3，什么叫AA电池

这是国外的圆柱形电池的代号，与中国电池标准相对照，就是：AA=R6(俗称5#)电池，国外也有用UM3；AAA=R03(俗称7#)电池，国外也有用UM4。AA电池就是R6(5#)电池。现在大家在购买电池时，在电池标贴和纸卡上都会看到AA或AAA等标识，那这些是什么意思呢？AA电池是几号电池呢？其实，AA、AAA以及C、D等都是说明电池型号的。例如：AA就是我们通常所说的5号电池，一般尺寸为：直径14mm，高度49mm；AAA就是我们通常所说的7号电池，一般尺寸为：直径11mm，高度44mm。

还有aaa就是我们通常所说的7号电池，一般尺寸为：直径11mm，高度44mm。说说常见的“aaaa,aaa,aa,a,sc,c,d,n,f”这些型号aaaa型号少见，一次性的aaaa劲量碱性电池偶尔还能见到，一般是电脑笔里面用的。标准的aaaa(平头)电池高度41.5±0.5mm,直径8.1±0.2mm。 aaa型号电池就比较常见，一般的mp3用的都是aaa电池，标准的aaa(平头)电池高度43.6±0.5mm，直径10.1±0.2mm。 aa型号电池就更是人尽皆知，数码相机，电动玩具都少不了aa电池，标准的aa(平头)电池高度48.0±0.5mm，直径14.1±0.2mm。只有一个a表示型号的电池不常见，这一系列通常作电池组里面的电池芯，我经常给别人换老摄像机的镍镉，镍氢电池，几乎都是4/5a，或者4/5sc的电池芯。标准的a(平头)电池高度49.0±0.5mm，直径16.8±0.2mm。 sc型号也不常见，一般是电池组里面的电池芯，多在电动工具和摄像机以及进口设备上能见到，标准的sc(平头)电池高度42.0±0.5mm,直径22.1±0.2mm。

AA、AAA以及C、D、SC等都是说明电池型号的。例如:AA就是我们通常所说的5号电池，一般尺寸为：直径14mm，高度49mm;AAA就是我们通常所说的7号电池，一般尺寸为：直径11mm，高度44mm。AAAA型号少见，一次性的AAAA劲量碱性电池偶尔还能见到，一般是电脑笔里面用的。标准的AAAA(平头)电池高度41.5±0.5mm,直径8.1±0.2mm。只有一个A表示型号的电池不常见，这一系列通常作电池组里面的电池芯，标准的A(平头)电池高度49.0±0.5mm，直径16.8±0.2mm。 SC型号也不常见，一般是电池组里面的电池芯，多在电动工具和摄像机以及进口设备上能见到，标准的SC(平头)电池高度42.0±0.5mm,直径22.1±0.2mm。 C型号也就是二号电池，用途不少，标准的C(平头)电池高度49.5±0.5mm,直径25.3±0.2mm。 D型号就是一号电池，用途广泛，民用，军工，特异型直流电源都能找到D型电池，标准的D(平头)电池高度59.0±0.5mm,直径32.3±0.2mm。 N型号不常见，我还不知道啥东西里面用，标准的N(平头)电池高度28.5±0.5mm,直径11.7±0.2mm。 F型号电池，现在是电动助力车，动力电池的新一代产品，大有取代铅酸免维护蓄电池的趋势，一般都是作电池芯（个人见解：其实个太大，不好单独使用，呵呵）。标准的F(平头)电池高度89.0±0.5mm,直径32.3±0.2mm。

什么叫AA电池

4，HIT电池生产流程

HIT电池简介 HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的缩写,意为本征薄膜异质结. HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-Si膜（膜厚5～10nm）和背面侧的i/n型a-Si膜（膜厚5～10nm）夹住单结晶Si片的来构成的. 图一. 电池基板以硅基板为主；在硅基板上沉积高能隙 (Energy band gap)的硅奈米薄膜，表层再沉积透明导电膜，背表面有着背表面电场。通过优化硅的表面织构，可以降低透明导电氧化层（TCO）和a-Si层的光学吸收损耗。HIT电池抑制了p型、i型a-Si的光吸收率，而增强n型c-Si的光吸收率。图二. HIT电池在技术上的优势由于HIT太阳能电池使用a-Si构成pn结，所以能够在200℃以下的低温完成整个工序。和原来的热扩散型的结晶太阳电池的形成温度（～900℃）相比较，大幅度地降低了制造工艺的温度。由于这种对称构造和低温工艺的特征，减少了因热量或者膜形成时产生的Si晶片的变形和热损伤，对实现晶片的轻薄化和高效化来说是有利的，具有业界领先的高转换效率（研究室水平为23％，量产水平为20％），即使在高温下，转换效率也极少降低，利用双面单元来提高发电量。 HIT电池的伏安曲线分析: HIT电池里p/n 异质结中所发现的正向电流特性（0.4V 附近）的变化是由于a-Si 顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而造成的。对此，在顶层和结晶Si之间插入高质量a-Si 膜（i 型a-Si 膜），通过顶层内的电场来抑制复合电流，这就是HIT 构造。通过导入约5nm 左右的薄膜i 型a-Si 层，可看到反向的饱和电流密度降低了约2个数量级。亦即通过导入i 型a-Si 层，能够大幅度提高Voc,见下图. 图三化学钝化和HIT 构造的寿命关系采用μ-PCD 法测定HIT电池的少子寿命。μ-PCD 法得到的寿命值虽然同时反映了体复合速度和表面复合速度两方面，但由于是在同一批（LOT）里抽出相邻的芯片，所以可认为体（BULK）的影响基本相同，所不同的是表面的差异。根据下图可以发现，HIT 构造的钝化性能要比化学钝化（CP 法）更优异。图四化学钝化 HIT 太阳能电池的Voc 和寿命之间的依存性发现通过形成低损伤的a-Si膜和提高表面的清净度等可以提高寿命和Voc，Voc 和寿命之间是一种正的线性关系。即HIT构造中的a-Si 钝化性能的好坏和HIT 太阳电池的Voc 大小相关。所以，通过提高a-Si 的钝化性能以提高寿命的方法可以认为对提高HIT 太阳电池的输出电压是有效的。图五 HIT电池单晶体硅的表面清洁度更高，同时抑制了非晶硅层形成时对单晶体硅表面产生的损伤。通过这些改良，这种电池的电能输出功率损失下降，开路电压得到了提高。 HIT 太阳电池优异的温度特性 HIT电池Voc越高输出特性的温度依存性越小。也就是说，在HIT 太阳电池的高效率化技术中的这种钝化技术的开发（即高Voc 化）带来了温度特性的提高.由于新电池在温度上升时发电量的损失降低，预计它的年发电量将比传统晶硅太阳能电池提升44%。图六 HIT电池的制造工艺 HIT电池的关键技术是a-Si:H薄膜的沉积，要求说沉积的本征a-Si:H薄膜的缺陷态密度低，掺杂a-Si:H的掺杂效率高且光吸收系数低，最重要的是最终形成的a-Si:H/Si界面的态密度要低。目前，普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积本征及掺杂的a-Si:H膜，同时热丝化学气相沉积发（HWCVD）制备a-Si:H法也被认为很有前景。 PECVD法制备a-Si:H薄膜利用等离子里中丰富的活性粒子来进行低温沉积一直是a-Si:H制备的重要方法。在真空状态下给气体施加电场，气体在电场提供的能量下会有气态转变为等离子体状态。其中含有大量的电子、离子、光子和各类自由基等活性粒子。等离子体是部份离子化的气体，与普通气体相比，主要性质发生了本质的变化，是一种新物质聚集态。等离子体中放置其中的衬底可以保持在室温，而电子在电厂的激发下会得到足够多的能量（2-5eV），通过与分子的碰撞将其电离，激发。PECVD的缺点表现在两个方面，一是它的不稳定性，二是电子和离子的辐射会对所沉积的薄膜构成化学结构上的损伤。等离子体作为准中性气体，它的状态容易被外部条件的改变而发生变化。衬底表面的带电状态，反应器壁的薄膜附着，电源的波动，气体的流速都会改变活性粒子的种类和数量，并且等离子体的均匀性也难以控制，这样都会改变衬底的状态。等离子体中的离子轰击和光子辐照，除了会影响沉积膜的质量，还会影响下面的硅衬底。光谱相应的研究结果表明对于蓝光区，HIT电池的光谱相应提高，而在红光区，光谱相应变低。这说明对于本征层的钝化效果提高了蓝光光谱响应的结果，而对于硅片内部的损伤，则对红光部分，光谱相应降低，量子效率下降。对于这种情况，可以下调等离子体的功率，但是同时也会降低等离子体的稳定性。 HWCVD制备a-Si:H薄膜热丝化学气相沉积HWCVD是利用热丝对气体进行催化和分解的软性过程，不会产生高能粒子轰击，对衬底的损伤较小，可以容易的移入或者移出沉积室，能够方便从实验室转换到生产线上。在HIT电池中，非晶硅发射极和晶体硅之间夹着5纳米后，缺陷密度低于非晶硅的本征非晶硅薄膜。HWCVD的缺点在于非晶硅的外延可以穿透5纳米后的本征薄膜而与晶体硅直接接触，这样会导致高缺陷，这样界面面积和缺陷态密度的增大会导致高的暗电流，继而开路电压也会减低。在制备中将温度控制在200度以下能够抑制非晶硅的外延。 HIT电池工艺的改良方向提高界面钝化效果当非晶硅和晶体硅的界面陷阱密度由10^11每平方厘米上升到10^12每平方厘米时，电池效率会降低20%。本征非晶硅的钝化效果由于a-Si:H薄膜的存在而变差，这可能是衬底中的少子波函数穿过本征非晶硅而和a-Si:H薄膜中的缺陷态相互作用，这样构成了载流子的复合通道。可以使用多形硅来作为钝化层，因为它具有更低的缺陷态密度和暗电流。光陷结构和表面清洗将制绒后的织构表面层使用硫酸和双氧水进行氧化，然后使用使用浓度为1%的氢氟酸进行60到180秒的腐蚀，这样可以去除缺陷层来使粗糙度降低，接近抛光硅的效果。栅电极的优化设计如果可以去除栅线的延展部分，纵横比提高1.0以后，效率可以在提高1.6%。这取决于对于银浆的流变学研究和丝网印刷的改进。