晶体硅为什么产量低，什么原因造成球磨机粉料硅含量偏低

来源：整理时间：2023-08-14 06:59:58 编辑：太阳能手机版

本文目录一览

1，什么原因造成球磨机粉料硅含量偏低
2，为什么晶体硅产业是一个高污染产业
3，为什么硅片产量用瓦做单位硅片现在有几种规格每种规格分别是
4，为什么晶体硅不是一个理想的光吸收

1，什么原因造成球磨机粉料硅含量偏低

磨球，设备内壁等造成粉料二次污染导致杂质高使得硅含量降低，如有疑问可追问。

不明白啊 = =！

什么原因造成球磨机粉料硅含量偏低

2，为什么晶体硅产业是一个高污染产业

说多晶硅高污染的人，全是根本不了解实际情况的，社会上传说光伏产业高污染，主要是指多晶硅的生产。是的，从硅料到晶片的生产过程，本质上是属于化工生产工程。物质在化学反应过程中，必然会产生出一些新物质，其中有些新物质是属于有毒物质。这些有毒物质，如果不回收，自然会成为污染物，危害环境。如多晶硅生产过程中产生的大量副产物—四氯化硅。　　多晶硅生产工艺有三氯氢硅氢化合成、三氯氢硅提纯、还原多晶硅、尾气分离与回收等四道工序。目前世界上80%的多晶硅生产采用改良西门子法工艺，此工艺历经五十多年的发展，在节能、环保、低成本生产方面取得长足进步，并针对太阳能行业用料的特殊需求，开发出硅烷法等生产成本更低、质量适合太阳能产品要求的多晶硅生产新工艺。　　我国多晶硅的生产技术上有三道关键设备和技术是从德国、美国、日本引进的，而生产线上有四道工序共计有17项核心技术（均有自主知识专利）投入应用。尤其是核心的物料回收，关键工艺是自主研发的氯氢化技术（已经申报了中国专利），目前已经取得显著效果。现在已经做到生产多晶硅产生的大量副产物—四氯化硅，可以全部转化为生产多晶硅的中间原料—三氯氢硅。

会对空气做出破坏再看看别人怎么说的。

公司为了节约营运成本，在排放和回收有害物质的处理上不下足功夫，导致环境污染。

为什么晶体硅产业是一个高污染产业

3，为什么硅片产量用瓦做单位硅片现在有几种规格每种规格分别是

电池片规格好多种：103*103mm125*125mm150*150mm156*156mm最长见的是单晶125*125mm 多晶156*156mm 根据效率来确定电池片功率目前效率是16%--19%不等

包括单晶125*125 150对角线单晶125*125 165对角线单晶156*156 200对角线多晶125*125 多晶156*156 晶体硅光电池晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类，用P型（或n型）硅衬底，通过磷（或硼）扩散形成Pn结成制作，生产技术成熟，是光伏市场上的主导产品。采用埋层电极、表面钝化、强化陷光、密栅工艺、优化背电极及接触电极等技术，提高材料中的载流子收集效率，优化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背电极等方式，光电转换效率有较大提高。单晶硅光电池面积有限，目前比较大的为 ∮10至 20cm的圆片，年产能力46MW/a。目前主要课题是继续扩大产业规模，开发带状硅光电池技术，提高材料利用率。国际公认最高效率在AM1.5条件下为24％，空间用高质量的效率在AMO条件约为13.5—18％地面用大量生产的在AM1条件下多在11—18％之间。以定向凝固法生长的铸造多晶硅锭代替＃晶硅，可降低成本，但效率较低。优化正背电极的银浆和铝浆丝网印刷，磨图抛工艺，千方百计进一步降成本，提高效率，大晶粒多晶硅光电池的转换效率最高达18.6%。非晶硅光电池 a－Si（非晶硅）光电池一般采用高频辉光放电方法使硅烷气体分解沉积而成。由于外解沉积温度低，可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上沉积约1μm厚的薄膜，易于大面积化（05rn×l.0m），成本较低，多采用p in结构。为提高效率和改善稳定性，有时还制成三层P in等多层叠层式结构，或是插入一些过渡层。其商品化产量连续增长，年产能力45MW／a，10MW生产线已投入生产，全球市场用量每月在1千万片左右，居薄膜电池首位。

2种规格；156*156 ，125*125

应该是根据电池功率来的，现在多晶硅片有156*156*180、156*156*200的，每片大约是4瓦

为什么硅片产量用瓦做单位硅片现在有几种规格每种规格分别是

4，为什么晶体硅不是一个理想的光吸收

DDR的核心部分是平板探测器。可以概括的说，它是一种采用半导体技术，将X线能量直接转换为电信号，产生X线图像的检测器。平板探测器可以取代现在的所有类型的X线检测器，如电视影像增强系统。它最突出的特点就是输出的是高质量的数字化影像。在直接转换类型中，其制传递函数（MTF）特点较图像屏幕系统好，敏感性则可与电视增强系统相比。平板探测器的发展和进一步完善将可逐步取代传统的X线探测装置。1、平板探测器的类型大致可分为CCD型和非晶硅型、非晶硒型。CCD型平板探测器的主要原理是光信号由探测器内的CCD接受，读出并形成数字图像。2、非晶硅类型的平板探测器，它的核心是由非晶硅和薄膜晶体管构成的矩阵板，矩阵板的每一个单元包含一个存储电容和非晶硅的场效应管。整个数字矩阵封装在一个像“片夹”的盒里，它主要由闪烁层或硒层、矩阵板和玻璃衬底、读出线路等组成。其好的密度及空间分辨力代表了目前发展的主要方向。碘化铯（cesium iodide,CsI）具有高X线接收和可视光子产量。因为铯具有高原子序数，它是X线接收器的最佳选择材料，所以这种金属对于输入的X线非常适用。产生每个光子需要20~25电子伏。搀入铯CsI激发出550nm的光，正是非晶硅光谱灵敏度的峰值。3、以硒作为光导材料，有两个原因：①光敏电阻自身具有的高分辨力特性；②用更厚的光导吸收层,可获得更高的X线灵敏度.硒可以直接将X线能量转换为电信号,硒光电导层被X线照射后产生的电子——空穴对在6KV偏移电压下被电场分离，被每个像素单元收集并转换成X线数字影像的数据。矩阵板包括薄膜三极管（thin-film transistor,TFT）储能电容和集电器，其上沉积着无定型硅层，厚约500μm。诸多像素（139×139μm）被安排为二维矩阵，按行设门控线。TFT像素的大小直接决定图像的空间分辨力，每一个像素具有电荷接收电极，信号存储电容及信号传输器，通过数据网与扫描电路连接。最后由读出电路读取数字信号并还原成影像。非晶硅对于X线接收器来说是最理想的材料，因为非晶硅对放射线的伤害是免疫的。以上是平板探测器的主要构成结构，平板探测器和X线球管组成了直接数字成像的主要部分。另一部分则是操作、质量控制和后处理部分。大部分的工作都是由计算机承担。主处理器实时的功能包括：偏移量的校正和增益；黑电平箝定；污点插补；帧积累和均化。而对于图像的后处理，可以利用辅助处理器完成，包括X线曝光控制、图像数据图形窗口化、扫描转化为常规模式、查找目录、降噪可变递归滤波等。最佳的性能是要求噪声低、动态范围宽和响应速度快。DDR成像系统可组合到用户原有X线机上使用，提供数字X线影像数据。其它辅助设备还有：扫描控制器、系统控制器、影像监视器等。扫描控制器主要由计算机控制的矩阵扫描电路、恢复电路及扫描数据转换装置组成。系统扫描器是计算机主机系统，包括操作程序、图像处理程序、图像存储、打印网络管理等。影像监视器可显示摄影图像，为工作人员提供摄影质量参考。X线转换为电信号可由直接和间接两种方式完成。在直接转换方式中，电压加于作为光电导体的硒层上，X线的能量直接转换为电信号。而在间接转换方式中，X线先由闪烁提转换为光信号，光信号再由光电二极管转换为电信号。平板探测器可有以上两种方式的转换形式，它们的主要不同点在于其制造结构上的差异上。以上两种类型的探测器各有优缺点。CsI闪烁体层由于晶体结构的关系，在传递信号的同时不可避免的光散射的发生，吸收率有所下降，但对最终图像质量影像不大。其较高的量子检测效能（DQE）可在较低剂量曝光情况下获得高质量的图像。由于成像快，可用于透视及时间减影等领域，大大增加了X线检查的使用范围。而以硒作为光电导体可以直接将光信号转换为电信号，避免散射的发生。但是对X线吸收率较低，在低剂量条件下图像质量不能很好保证。且硒层对于温度较敏感，使用条件受到限制。DR和DDR的平板探测器可方便应用于目前常规X线摄影设备上，固定于立式胸片架或平床的滤波器。在曝光后几秒即可显示图像，无虚来回搬运暗盒；系统本身全固体化结构，无任何机构运动。在曝光同时操作室监视器上即可显示摄影图像,工作人员可对投照质量作出判断,缩短了检查时间,避免了因技术原因对患者的重复检查